光伏电站晶硅组件有便捷式I-V测试法以及EL检测法，缺陷测试方法有以下四点点

　1.便携式I-V测试法

　　晶硅组件发生PID后，其I-V曲线形状会出现异常，电性能参数表现为Rsh、填充因子和开路电压Voc的降低。PID越严重，其曲线移动的趋势就如图15箭头所示。而对于轻微PID组件，其IV曲线的异常特征不太明显，还需结合下面的方法（开路电压法、EL）进行综合分析。

　　图15 单片电池片PID衰减后的I-V曲线

　　2.开路电压（Voc）测试法

　　由于PID组件电性能参数有一个明显特征，即并联电阻值会下降很多，甚至低到个位数，正常组件的Rsh值一般在几百兆欧以上。并联电阻值的大小对组件的弱光效应有较大的影响，如果Rsh值较低，在辐照度较高时，开路电压值和正常组件差异会较小，所以难以辨别，而在低辐照度下，Rsh值较低的组件，开路电压值会随着辐照的降低而出现大幅下降。因此开路电压法测试需要选择低辐照时间，便于和正常组件进行明显区分。特别对于PID衰减不明显的组件（功率衰减≤10%），通过便捷式IV曲线测试仪难以判断的情况下，可以用该法进行判断。

　3.便携式EL测试法

　　需要使用便携式EL设备，PID组件在EL下的明显特征为边框四周电池片发黑（因电池PN结失效）。如下图16所示，PID越严重，那么发黑的区域会增多，一般从边框四周开始，逐渐蔓延到组件中间区域。

　　图16 左：功率衰减27% 中：功率衰减42% 右：功率衰减52%

　　4. 组串排查方法

　　（1）在低辐照情况下（建议辐照度低于400W/m2），通过监控数据或现场测试，对每个汇流箱侧的每一路的组串开路电压进行测试，查找低电压组串。

　　（2）对于低电压组串，一般PID容易发生在组串的负极侧，如20片一串的，要重点测试负极侧递一片到第十片，并一直测试到出现正常组件为止。

　　（3）根据便捷式I-V测试曲线或者开路电压测试法判断。